IBM'in faz değişimine dayanan yeni hafıza teknolojisi, flaş bellekten çok daha hızlı ve dayanıklı...

IBM, elektronik cihazların standart RAM ve flaş'tan çok daha hızlı ve daha dayanıklı bir depolama teknolojisine doğru dönüşümünün önünü açan faz değişimini kullanmanın daha etkili bir yolunu bulduğunu duyurdu. Kısaca PCM(phase-change memory) olarak adlandırılan faz değişimi hafızası; kalkojenit camın davranışlarını manipüle ederek çalışan uçucu olmayan bir tür optik depolama teknolojisi olarak özetlenebilir.

Yeniden yazdırılabilir Blu-ray disklerde de benzer bir biçimde veri depolanmasını sağlayan bu teknolojide kapsamında PCM hücrelerini amorf bir yapıdan kristal bir yapıya doğru dönüştürmek için bir elektrik akımı uygulanıyor. Bu sayede 0'lar ve1'ler, düşük voltaj uygulaması bu verileri yeniden okuyabilirken her iki halde de depolanabiliyor.

PCM'lerin şimdiye kadar elverişli bir teknoloji olmamasının temel nedeni sınırlı kapasitesi ve yüksek maliyetiydi, zira bu tür hafızalarda hücre başına sadece 1 bit depolanıyordu. Bu da PCM'lerin dizüstü bilgisayar ya da mobil telefon gibi ana hafıza uygulamaları için daha az kullanışlı olmalarına neden oluyordu. IBM bünyesindeki araştırmacılar hücre başına 3 bit veri depolamanın bir yolunu bularak PCM'lerin çok daha işlevsel olmasının önünü açtılar. Kristallerin yüksek sıcaklıklarda verdikleri tepkileri manipüle eden araştırmacılar böylece PCM hücrelerinin birden fazla halde olabilmesini sağladılar.

IBM yöneticisi Haris Pozidis tarafından yapılan açıklamaya göre bu son derece önemli bir gelişme zira "böyle bir yoğunlukta PCM'in maliyeti DRAM'dan çok daha az ve flaş'ın maliyetine yakın olacak."